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CCD与COMS的区别

[ 编辑:josh | 来源:互联网 | 被阅读:次 | ]
一、CCD是由为数众多的微小光电二极管及译码寻址电路构成的固态电子感光成像部件。光电二极管的排列方式有两种。一种是平面阵列,多个光电二极管排列成一个平面,同时感受光信号(色彩、强度等),工作原理与传统的胶卷相似,这种方式感光速度快,但造价高。另一种是条状阵列,多个光电二极管排列成一条直线,逐行进行感光成像,并逐行把光信号传输到数码相机的存储介质中,工作原理与扫描仪相似。这种方式感光时间长,但工艺简单,成像质量较高。
 
二、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor),它的中文名称是“互补性氧化金属半导体”。主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带-电)和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。同样,CMOS的尺寸大小影响感光性能的效果,面积越大感光性能越好。CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而生过热的现象。不过现在量产的高档CMOS已经基本消除了此类问题。

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